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J-GLOBAL ID：200903072860978268

フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの形成方法、及び半導体素子

Inventor： 鄭 載昌 ,  金 明洙 ,  金 亨基 ,  盧 致亨 ,  李 根守 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  卜 ▲ちょる▼圭 ,  白 基鎬
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999125381
Publication number (International publication number)：1999349637
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】超微細パターンの形成に使用可能なフォトレジストを提供する。【解決手段】下記式(1)で示されるフォトレジスト重合体と、光酸発生剤と、有機溶媒を含むフォトレジストである。【化1】前記式で、R1は側鎖又は主鎖に置換された炭素数0〜10のアルキル、又はベンジル基を示し、R2は炭素数1〜10の1次、2次或いは3次アルコールを示し、m及びnはそれぞれ1〜3の数を示し、X:Y:Zの比は10〜80:10〜80:10〜80のモル%を示す。本発明の重合体は4G、16G DRAMの超微細パターンの形成に使用可能であり、ArF、E-beam、EUV、ion-beamに使用可能である。

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示されるフォトレジスト重合体。【化1】前記式で、R1は側鎖又は主鎖に置換された炭素数0〜10のアルキル、又はベンジル基を示し、R2は炭素数1〜10の1次、2次或いは3次アルコールを示し、m及びnはそれぞれ1〜3の数を示し、X、Y及びZは各共単量体の重合比を示す。

IPC (6)：

C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/027

FI (6)：

C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-191020   Applicant：東京応化工業株式会社
• マレイミド系単量体とその製造方法、脂肪族環状オレフィン系単量体とその製造方法、共重合体樹脂とその製造方法、フォトレジストとその製造方法、および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-293899   Applicant：現代電子産業株式会社