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J-GLOBAL ID：200903072953413007

半導体レーザの製造方法

Inventor： 竹谷 元伸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335378
Publication number (International publication number)：2006147814
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面への不純物ドープに依らずに窓構造を設けることで、CODレベルの向上を図る。【解決手段】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面21を形成した後、その共振器端面21を、H2を含むプラズマ雰囲気またはH2を含むラジカル雰囲気にさらし、その共振器端面21の近傍からのIn離脱を行って、これにより半導体レーザの活性層のバンドギャップEgを大きくする窓構造を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、 前記半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、 前記共振器端面を形成した後、H2を含むプラズマ雰囲気またはH2を含むラジカル雰囲気に前記共振器端面をさらし、当該共振器端面近傍からのIn離脱を行う暴露工程と を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (1)：

H01S 5/028

FI (1)：

H01S5/028

F-Term (8)：

5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AK22 ,  5F173AL02 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AR68

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体発光装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-244737   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-191614   Applicant：ソニー株式会社