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J-GLOBAL ID：200903072975790173

発光ダイオードの製造方法

Inventor： 倉橋 孝尚
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276139
Publication number (International publication number)：2000114592
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高輝度で、信頼性の向上した、効率の良い発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型のGaAs基板上に、単層または多層からなるAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)発光層、第2導電型のAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)中間層、および第2導電型のAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)電流拡散層を形成する工程と、該第1導電型のGaAs基板および該第2導電型の電流拡散層に、第1導電型の電極、第2導電型の電極をそれぞれ接するように形成する工程とを包含する発光ダイオードの製造方法。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に、単層または多層からなるAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)発光層、第2導電型のAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)中間層、および第2導電型のAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)電流拡散層を形成する工程と、該第1導電型のGaAs基板および該第2導電型の電流拡散層に、第1導電型の電極、第2導電型の電極をそれぞれ接するように形成する工程とを包含する発光ダイオードの製造方法であって:該第2導電型の電流拡散層および該第2導電型の電極の露出表面に保護膜を形成する工程と;該第2導電型の電極を挟み、かつ、少なくとも該第1導電型のGaAs基板に達する深さの溝部をダイシングによって形成する工程と;臭素系のエッチャントにより、該発光層、該第2導電型の中間層、および該第2導電型の電流拡散層を該溝部に面した位置から該基板面に垂直な方向に4μm以上、かつ該第2導電型の電極の端部に達しない位置まで、エッチングする工程と;該第2導電型の電流拡散層および該第2導電型の電極上に形成された該保護膜を除去する工程と;を包含する、発光ダイオードの製造方法。

F-Term (10)：

5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CB36 ,  5F041FF01 ,  5F041FF14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光ダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041719   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平2-125612
  
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-247511   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭63-266851