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J-GLOBAL ID：200903073060943888

太陽電池の製造方法および太陽電池構造

Inventor： 有本 智 ,  森川 浩昭 ,  西本 陽一郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022683
Publication number (International publication number)：1997219531
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低温プロセスを用いてキャリアの再結合の防止を図ることが可能な太陽電池の製造方法およびその構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型拡散層形成後にリン酸処理工程を行うことにより、低温プロセスで簡単にキャリアの再結合を防止することができる。

Claim (excerpt)：

p型半導体基板上にn型半導体領域を形成して太陽電池を製造するにあたり、上記n型半導体領域表面に低温域でリン酸処理を施す工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/318

FI (3)：

H01L 31/04 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 31/04 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 太陽電池素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-116996   Applicant：京セラ株式会社
• 太陽電池の損壊箇所の修復方法及びその太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361500   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭58-220477
  
• 特開昭52-133769
  

Cited by examiner (4)

• 太陽電池素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-116996   Applicant：京セラ株式会社
• 太陽電池の損壊箇所の修復方法及びその太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361500   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭58-220477
  
• 特開昭52-133769