Pat

J-GLOBAL ID：200903084710959670

太陽電池素子の製造方法

Inventor： 福井 健次 ,  白沢 勝彦 ,  高山 道寛
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116996
Publication number (International publication number)：1995326784
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】 PN接合部を有する半導体基板の一主面側に第一の反射防止膜を形成すると共に、この半導体基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した後、前記第一の反射防止膜上に第二の反射防止膜を形成して、この第二の反射防止膜の表面部分をリアクティブイオンエッチング法によって粗面化する。【効果】 粗面化するために要する処理時間は非常に短く、製造コストを低下させることができる。また、面方位が不均一な多結晶シリコン基板を用いた太陽電池素子でも均一に低反射構造が得られる。

Claim (excerpt)：

PN接合部を有する半導体基板の一主面側に第一の反射防止膜を形成すると共に、この半導体基板の一主面側と他の主面側に電極を形成した後、前記第一の反射防止膜上に第二の反射防止膜を形成して、この第二の反射防止膜の表面部分をリアクティブイオンエッチング法によって粗面化する太陽電池素子の製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-124991   Applicant：シャープ株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361560   Applicant：ルドルフ・ヘツェル
• 特開平4-107881