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J-GLOBAL ID：200903073095796390

金属配線の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  西 毅 ,  佐竹 瑠茂 ,  小沼 利光
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149513
Publication number (International publication number)：1996320504
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウムの配線を用いた集積回路の作製において、アルミニウム配線の表面にヒロックやウィスカーが発生し、配線間におけるショートが発生してしまうことを防ぐ。【構成】 アルミニウムの配線107〜110を形成した後に、酸化剤を含んだ溶液で洗浄を行い、配線の表面に酸化膜111〜114を形成する。その後に、熱アニールやレーザー光の照射を行う。この際、酸化膜が形成されているので、ヒロックやウィスカーが発生することがなく、配線間にショートが発生することを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

金属配線上に、酸化剤を含む溶液により酸化されない領域を設けるために保護被膜を形成する工程と、前記金属配線の表面に、前記酸化剤を含む溶液を用いて酸化膜を形成する工程と、前記保護被膜を剥離する工程と、を有することを特徴とする金属配線の作製方法。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平1-098263
  
• 液晶表示装置用アレイ基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004433   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-281179   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-145624
  
• オゾン酸化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-182129   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 有機薄膜形成用基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-122244   Applicant：ソニー株式会社
• 液晶表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-104644   Applicant：三洋電機株式会社