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J-GLOBAL ID：200903073129377146

露光方法及び装置

Inventor：
川井 秀実

About 川井 秀実


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 大森 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272566
Publication number (International publication number)：1999111601
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 1つのレイヤのパターンを多重露光で形成する場合に、レチクルの製造コストや管理コストを低減できると共に、スループットを向上できる露光方法を提供する。【解決手段】 1枚のレチクルのパターン領域に二重露光する2つのパターンを並列に形成しておく。ウエハW上の各列の部分ショット領域46A,46Bにそのレチクルの2つのパターン像を露光した後、ウエハWを1つの部分ショット領域の幅分だけずらして、次の部分ショット領域46B,46Cにその2つのパターン像を露光し、以下ウエハWを1つの部分ショット領域の幅分だけずらして、2つのパターン像を露光する動作を繰り返す。これによって、最初と最後の部分ショット領域を除く部分ショット領域46B〜46Gにそれぞれ2つのパターン像が二重露光される。
Claim (excerpt)：
露光対象の基板の同一レジスト上の複数の被露光領域にそれぞれ異なるN個(Nは2以上の整数)のマスクパターンの像を重ねて露光する露光方法において、マスク上で所定方向に一列に配置された前記N個のマスクパターン領域を形成しておき、前記基板上に前記マスク上の前記N個のマスクパターンの像を露光する第1工程と、前記基板と前記マスクとを前記マスクパターン領域の前記所定方向の幅に対応する幅だけ前記所定方向に相対移動して、前記基板上に前記マスク上の前記N個のマスクパターンの像を部分的に重ね合わせて露光する第2工程と、を有し、前記第2工程を更に少なくとも(N-2)回繰り返すことを特徴とする露光方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (3)：
H01L 21/30 514 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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