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J-GLOBAL ID:200903073147293227

低交流損失酸化物超電導導体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005334988
Publication number (International publication number):2007141688
Application date: Nov. 18, 2005
Publication date: Jun. 07, 2007
Summary:
【課題】本発明は、分断した個々のフィラメント導体どうしの絶縁性を高めることができ、低交流損失の酸化物超電導体を得ることができる技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基体1上に酸化物超電導層6が設けられてなる低交流損失超電導導体Aにおいて、前記酸化物超電導層6が、前記基体1の長さ方向に沿って前記基体の幅方向に複数形成された細線化溝3により複数のフィラメント導体2に分離されてなり、前記細線化溝3に高抵抗酸化物8が形成されてなることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基材上に酸化物超電導層が設けられてなる酸化物超電導導体において、前記酸化物超電導層が、前記基材の長さ方向に沿って前記基材の幅方向に複数形成された細線化溝により複数のフィラメント導体に分離されてなり、前記細線化溝に高抵抗酸化物が形成されてなることを特徴とする低交流損失酸化物超電導導体。
IPC (4):
H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  H01F 6/06 ,  H01L 39/24
FI (4):
H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  H01F5/08 B ,  H01L39/24 B
F-Term (18):
4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113CA34 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA03 ,  5G321BA14 ,  5G321CA04 ,  5G321CA09 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321CA38 ,  5G321CA41 ,  5G321CA99 ,  5G321DB37
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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