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J-GLOBAL ID：200903073154709064
相変化記憶要素をプログラミングする方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001505018
Publication number (International publication number)：2003502791
Application date： Jun. 13, 2000
Publication date： Jan. 21, 2003
Summary：
【要約】電気的にプログラミング可能な相変化記憶要素を低抵抗状態にプログラミングする方法。デバイスを低抵抗状態から高抵抗状態へ変換するのに十分なエネルギーの第一パルスが印加され、次いでデバイスを高抵抗状態から低抵抗状態へ変換するのに十分なエネルギーの第二パルスが印加される。もう一つ別のプログラミング方法においては、現在のデバイスの状態と望ましいデバイスの状態とが比較され、デバイスの状態の変更を必要とする場合にのみプログラミングするためのパルスが印加される。
Claim (excerpt)：
電気的にプログラミング可能な相変化記憶要素を低抵抗状態にプログラミングする方法であって、 前記記憶要素は、前記低抵抗状態と検出可能なそれと異なった高抵抗状態とを少なくとも具備する、ある容積の相変化記憶材料を含み、 以下の工程から成る前記方法。 前記記憶材料にエネルギーの第一パルスを印加すること、前記第一パルスは、前記記憶材料を前記低抵抗状態から前記高抵抗状態へ変換するのに十分なものである; 及び 前記記憶材料にエネルギーの第二パルスを前記第一パルスに引き続いて印加すること、前記第二パルスは、前記記憶材料を前記高抵抗状態から前記低抵抗状態へ変換するのに十分なものである。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 13/00 A
, H01L 45/00 A
