集積回路の製造において異なる高さの金属層の間に配線層間誘電体層を形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石原昌典 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001514476
Publication number (International publication number)：2003506869
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 18, 2003
Summary：

【要約】本発明は、集積回路の製造において、異なる高さの導電性金属層の間に、配線層間誘電体層を設ける方法を含むものである。一実施形態において、集積回路の製造において異なる高さの導電性金属層の間に配線層間誘電体層を設ける方法には、基板上に導電性金属配線層を形成する工程が含まれる。絶縁性誘電体マスは、導電性金属配線層の周辺に設けられる。絶縁性誘電体マスは、第1誘電率を有する。絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分は、基板からエッチング除去される。エッチングの後、配線層間誘電体層が、エッチングされた絶縁性誘電体物質の少なくとも幾らかと置き換わるように堆積される。配線層間誘電体層は、第1誘電率よりも小さい第2誘電率を有する。

Claim (excerpt)：

集積回路の製造において異なる高さの導電性金属層の間に配線層間誘電体層を設ける方法であって、該方法は、基板上に、導電性金属配線層を形成する工程と、前記導電性金属配線層の周辺に、第1誘電率を有する絶縁性誘電体マスを設ける工程と、前記基板から、絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分をエッチング除去する工程と、前記エッチング工程の後、前記エッチングされた絶縁性誘電体材料の少なくとも幾らかを置き換えるように、前記第1誘電率よりも小さい第2誘電率を有する配線層間誘電体層を堆積する工程と、を具備することを特徴とする方法。

F-Term (31)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH25 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033MM02 , 5F033MM18 , 5F033NN19 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW09 , 5F033XX01 , 5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

集積回路内のメタルインターコネクションの製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-349335 Applicant：エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム, フランステレコム
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-230430 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-101308 Applicant：日本電気株式会社

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