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J-GLOBAL ID：200903073260169290

露光用マスク及びその製造方法

Inventor： 川野 健二 ,  伊藤 信一 ,  田中 聡 ,  井上 壮一 ,  金井 秀樹 ,  米田 郁男
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996052021
Publication number (International publication number)：1997244210
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 透明基板を掘込むことで位相差を設けるレベンソンマスクにおいて、掘込み構造に起因するレジストの寸法差を極めて少なくする。【解決手段】 露光光に対して透明な基板上に遮光パターンと透明開口部を有し、透明基板が掘込まれかつ掘込み量が隣接した同一寸法を有する開口部で交互に異なるように調整された領域を有するレベンソン型の露光用マスクにおいて、開口パターン寸法とこれに隣接する遮光パターン寸法との差(W1 -W2 )、及び開口パターンの掘込み量D1 ,D2 が、開口パターン寸法とこれに隣接する遮光パターン寸法との和(W1 +W2 )に応じて同時に設定した。

Claim (excerpt)：

露光光に対して透明な基板上に遮光パターンと透明開口部を有し、透明基板が掘込まれかつ掘込み量が隣接した同一寸法を有する開口部で交互に異なるように調整された領域を有する露光用マスクにおいて、前記開口パターン寸法とこれに隣接する遮光パターン寸法との差、及び前記開口パターンの掘込み量が、前記開口パターン寸法とこれに隣接する遮光パターン寸法との和に応じて同時に設定されたことを特徴とする露光用マスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• フォトマスク及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222190   Applicant：株式会社東芝
• 位相シフトマスク並びに半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-047820   Applicant：ソニー株式会社