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J-GLOBAL ID:200903073275059180
レーザ装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
柳田 征史 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000151469
Publication number (International publication number):2001332810
Application date: May. 23, 2000
Publication date: Nov. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 レーザ装置において、基本横モードで安定に、かつ高出力でレーザ光を発振させる。【解決手段】 電流注入により光利得を発生する活性層を含む複数の半導体層からなる利得媒質10と、その利得媒質に対向して設置させた光学部材である凹レンズ20とを備え、利得媒質10の活性層に垂直な一端面に形成されている第一の反射面17と凹レンズ20の凹面に形成された第二の反射面21とによりレーザ共振器を構成する。利得媒質内には屈折率段差による導波路はなく、共振器面である第一および第二の反射面17,21により共振器内における光ビームの導波路が決定されるため、利得媒質10の光出射端面18における光密度が大きくなりすぎないように、かつ、基本横モード発振するように、共振器長および第二の反射面21の曲率によりビーム径を調整する。
Claim (excerpt):
電流注入により光利得を生じる活性層を含む複数の半導体層からなり、前記活性層に垂直な一端面に第一の反射面を備えた利得媒質と、前記利得媒質の前記一端面と対向する他端面側の外部に配置された、前記第一の反射面と共に基本横モード発振せしめる共振器を構成する、反射光を集束せしめる第二の反射面を有する光学ユニットとを備え、前記光利得により生じた誘導光の導波路が、前記共振器により決定されるものであることを特徴とするレーザ装置。
IPC (3):
H01S 5/14
, H01S 5/22
, H01S 5/343
FI (3):
H01S 5/14
, H01S 5/22
, H01S 5/343
F-Term (13):
5F073AA09
, 5F073AA51
, 5F073AA62
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB27
, 5F073AB29
, 5F073CA07
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA15
, 5F073EA24
, 5F073EA28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特表平4-504930
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半導体光機能素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-216992
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開昭52-106696
-
特開昭49-097582
-
半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-274745
Applicant:アンリツ株式会社
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