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J-GLOBAL ID：200903073303367015

半導体モジュールの接合構造

Inventor： 山口 政義
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 本田 崇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231036
Publication number (International publication number)：1997083128
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体モジュールをメインプリント基板にリフローはんだ付けするに際して、電子部品の熱ストレスを最小限にできる接合構造の提供。【解決手段】半導体モジュール20の作製時においては、サブプンリト基板21に対する電子部品22,23のリフローはんだ付けは高融点はんだ25でなされ、メインプリント基板10に対する半導体モジュール20のリフローはんだ付けは低融点はんだ33で行っている。

Claim (excerpt)：

サブプリント基板に電子部品がリフローはんだ付けにより実装されてなる半導体モジュールをメインプリント基板にリフローはんだ付けする半導体モジュールの接合構造において、前記サブプリント基板に対する前記電子部品のリフローはんだ付けはリフロー炉内の最高温度を200°C以上とする必要のある高融点はんだを用いて行い、前記メインプリント基板に対する前記半導体モジュールのリフローはんだ付けは、リフロー炉内の最高温度が200°C以下ではんだ付け可能な低融点はんだを用いて行っていることを特徴とする半導体モジュール接合構造。

IPC (3)：

H05K 3/34 507 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H05K 3/34 507 K ,  H01L 25/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-066789   Applicant：株式会社日立製作所
• 両面実装工法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-236784   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭58-057785
  
• 特開昭58-057785