磁気抵抗効果薄膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：福田武通 (外3名) , 福田武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999204443
Publication number (International publication number)：2000340425
Application date： Jul. 19, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗変化率が非常に大きな磁気抵抗効果薄膜を提案する。【解決手段】強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜1であり、強磁性粒子2は基板5上に作製され、非磁性膜3を介した電極4間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。例えば、強磁性粒子は、MnSb、MnAs、砒化クロム、Fe、Co、Ni等の材料で構成され、非磁性膜は、Sb、Au、Cu、Ag、Al、As、Bi、Si、Ge、GaAs、AlAs、InAs、InSb、GaN、AlN 、ZnO 、ZnSe、CdTe、CdS 、酸化アンチモン、酸化マンガン、酸化アルミニウム等の材料で構成される。

Claim (excerpt)：

強磁性粒子を非磁性膜にて覆い、その非磁性膜を介した電極間の抵抗が磁場の印加により変化するようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。

IPC (3)：

H01F 10/08 , C23C 14/06 , H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/08 A , C23C 14/06 G , H01L 43/08 Z

F-Term (11)：

4K029AA02 , 4K029BA21 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029EA01 , 5E049AA10 , 5E049AC00 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB10 , 5E049CC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

粒状磁気抵抗膜及び形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-134650 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
巨大磁気抵抗素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-139144 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036311 Applicant：新庄輝也, ティーディーケイ株式会社

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Cited by examiner (8)

粒状磁気抵抗膜及び形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-134650 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
巨大磁気抵抗素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-139144 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036311 Applicant：新庄輝也, ティーディーケイ株式会社

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