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J-GLOBAL ID：200903073412362538

磁気抵抗効果薄膜

Inventor： 秋永 広幸 ,  尾嶋 正治 ,  水口 将輝
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  秋永 広幸 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
Agent (2)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999204443
Publication number (International publication number)：2000340425
Application date： Jul. 19, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗変化率が非常に大きな磁気抵抗効果薄膜を提案する。【解決手段】 強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜1であり、強磁性粒子2は基板5上に作製され、非磁性膜3を介した電極4間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。例えば、強磁性粒子は、MnSb、MnAs、砒化クロム、Fe、Co、Ni等の材料で構成され、非磁性膜は、Sb、Au、Cu、Ag、Al、As、Bi、Si、Ge、GaAs、AlAs、InAs、InSb、GaN、AlN 、ZnO 、ZnSe、CdTe、CdS 、酸化アンチモン、酸化マンガン、酸化アルミニウム等の材料で構成される。

Claim (excerpt)：

強磁性粒子を非磁性膜にて覆い、その非磁性膜を介した電極間の抵抗が磁場の印加により変化するようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。

IPC (3)：

H01F 10/08 ,  C23C 14/06 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/08 A ,  C23C 14/06 G ,  H01L 43/08 Z

F-Term (11)：

4K029AA02 ,  4K029BA21 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029EA01 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB10 ,  5E049CC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 粒状磁気抵抗膜及び形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-134650   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 巨大磁気抵抗素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-139144   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-036311   Applicant：新庄輝也, ティーディーケイ株式会社
• 機能性粒子分散型薄膜とグラニュラー磁性薄膜およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-251184   Applicant：弘津禎彦, アルプス電気株式会社
• 超高密度磁気記録媒体および製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-266556   Applicant：富士通株式会社
• 磁気記録媒体及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-243397   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果材料および磁気抵抗効果多層膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-283692   Applicant：アルプス電気株式会社
• 固体磁気記録素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-054201   Applicant：株式会社東芝