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J-GLOBAL ID：200903073430966394

発生させたプラズマ間の容量電流における位相部と逆位相部が平衡する誘導構造によって励起される高周波プラズマ処理方法

Inventor： ビノグラードフ ゲオールギー ,  米山 詩麻夫
Applicant, Patent owner： エム・シー・エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 岡田 数彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997521107
Publication number (International publication number)：2000501568
Application date： Oct. 29, 1996
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】製品28、119の製造方法。本発明の製品の製造方法は、基板を物質によって処理する工程から成り、前記物質の少なくとも1つが高周波電場によって励起される気相放電により生起する種から生じ、前記高周波電場では、誘導結合構造により誘導された容量性電流の位相部および逆位相部のベクトル合成が平衡していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

物質により基板を処理する工程から成り、前記物質の少なくとも1つが高周波電場によって励起される気相放電により生起する種から生じ、高周波電場においては、誘導結合構造により誘導された容量電流の位相部および逆位相部のベクトル合成が平衡していることを特徴とする製品の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 B ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• LEP電源位相微調機構
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-198000   Applicant：日新電機株式会社, 松下電器産業株式会社
• 共振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-101916   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• プラズマエッチング・CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-308284   Applicant：ソニー株式会社