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J-GLOBAL ID：200903087316246560

プラズマエッチング・CVD装置

Inventor：
山岸 信久

About 山岸 信久


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994308284
Publication number (International publication number)：1996148476
Application date： Nov. 17, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 大口径ウェハのエッチングおよび成膜処理時の基本特性、加工特性、低ダメージ性に優れ、かつ、スパイラルコイル、キャパシタ等から成る高周波電源系の長期信頼性の向上した誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。【構成】 自己インダクタンスおよび巻線抵抗の同一なN個(N≧3)のスパイラルコイル11を相互インダクタンスが同一となるように対称配置し、各スパイラルコイル11に直列接続した容量範囲の同一な可変キャパシター12を介して対称N相回路構成となるN相RF電源23を接続し、上記N個のスパイラルコイル11はプラズマ処理対象物1の搭載面に平行な同一平面内に設けられる。
Claim (excerpt)：
自己インダクタンスおよび巻線抵抗の同一なN個(N≧3)のスパイラルコイルを相互インダクタンスが同一となるように対称配置し、各スパイラルコイルに直列接続した容量範囲の同一な可変キャパシターを介して対称N相回路構成となるN相RF電源を接続し、上記N個のスパイラルコイルはプラズマ処理対象物搭載面に平行な同一平面内に設けられたことを特徴とするプラズマエッチング・CVD装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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