半導体装置及びその製造方法及びその半導体装置を利用したメモリセル

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996203525
Publication number (International publication number)：1998050992
Application date： Aug. 01, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】短チャネル効果を抑制する濃度変化の急峻な高濃度領域をゲート電極下に自己整合的に形成する。【解決手段】厚い絶縁膜7に形成した溝からの不純物(Bイオン)の注入によりP型半導体基板1にある程度の深さに高濃度領域5を形成する。電極材料8(ポリシリコン)を堆積した後CMPにより研磨してゲート電極部を形成する。ゲート電極部を残して絶縁膜7と窒化膜6をそれぞれにエッチング除去し、ゲート電極部をマスクにしてイオン注入(リンイオン)をし、ソース及びドレイン領域4を形成する。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板上に、第一及び第二及び第三の絶縁膜を積層する工程と、所定の位置の前記第二及び第三の絶縁膜を除去し, 前記第一の絶縁膜を露出させる事により、溝を形成する工程と、前記溝内の露出させた前記第一の絶縁膜を介して、前記一導電型の半導体基板の所定の深さに、前記半導体基板と同じ導電型の不純物を注入し、高濃度領域を形成する工程と、前記溝内に電極材料を堆積させ、ゲート電極を形成する工程と、前記第二及び第三の絶縁膜を除去する工程と、前記電極材料をマスクとし、かつ、前記第一の絶縁膜を介して、前記一導電型の半導体基板に反対導電型不純物を注入する事により第一の拡散層を形成する工程とを有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/266 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/265 G , H01L 21/265 M , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-304870 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-189968 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-218165

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