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J-GLOBAL ID：200903073647521765

有機無機ハイブリッド薄膜及びその作製方法

Inventor： 松原 一郎 ,  村山 宣光 ,  申 ウソク ,  伊豆 典哉 ,  細野 幸太
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003422141
Publication number (International publication number)：2005179115
Application date： Dec. 19, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】 三酸化モリブデン(MoO3 )を主成分とする導電性の有機無機ハイブリッド薄膜を製造する方法、及びその導電性有機無機ハイブリッド薄膜等を提供する。【解決手段】 下記工程を含むことを特徴とする電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜の製造方法であって、三酸化モリブデンの高配向薄膜を作製し、そこへ化学反応により導電性ポリマー或いは有機イオンをインターカレートすることを特徴とする、電気伝導性を有する有機無機ハイブリッド薄膜の製造方法、該方法により作製される、室温、空気中での導電率が10-6Scm-1以上である導電性薄膜、及び上記導電性薄膜を構成要素として含む導電性部材及びセンサ部材。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

層状構造を持つ無機化合物の高配向薄膜に、水和アルカリ金属イオンをインターカレートし、更に、これを有機化合物と置換したことを特徴とする導電性有機無機ハイブリッド薄膜。

IPC (5)：

C30B7/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/32 ,  C30B29/68 ,  G01N27/12

FI (6)：

C30B7/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/32 M ,  C30B29/68 ,  G01N27/12 C ,  G01N27/12 M

F-Term (14)：

2G046AA18 ,  2G046AA25 ,  2G046BA00 ,  2G046BA09 ,  2G046FA01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE22 ,  4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077BC46 ,  4G077CB02 ,  4G077CB04 ,  4G077CB08 ,  4G077DB06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 有機無機混成半導体を用いた薄膜電界効果トランジスタ構造およびその製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-332113   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 層状酸化物の結晶成長方法、有機無機複合結晶の形成方法および積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-302085   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

• 層状酸化物の結晶成長方法、有機無機複合結晶の形成方法および積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-302085   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Synthesis of a Polyaniline/Inorganic Nanocomposite