有機無機混成半導体を用いた薄膜電界効果トランジスタ構造およびその製作方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001332113
Publication number (International publication number)：2002198539
Application date： Oct. 30, 2001
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】最新技術の有機無機混成TFTデバイスよりも低い動作電圧で、高い電界効果移動度、高い電流変調を示す、有機無機混成半導体材料に基づいた薄膜トランジスタ(TFT)・デバイス構造を提供すること。【解決手段】この構造は、基板上に、高誘電率絶縁体で覆われた導電性ゲート電極の組、有機無機混成半導体の層、ゲート線の各々に対応する電気伝導性ソース電極と電気伝導性ドレイン電極の組、およびこのデバイス構造の上を覆いこれを保護することができる随意選択のパッシベーション層を含む。高誘電率ゲート絶縁体を使用することで、有機無機混成半導体のゲート電圧依存性を活用して、非常に低い動作電圧で、電界効果移動度の高いレベルを実現する。

Claim (excerpt)：

電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体の層と、ゲート絶縁体の前記層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ゲート絶縁体および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるトランジスタ・デバイス構造。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 51/00

FI (12)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 K , H01L 29/28

F-Term (70)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD53 , 4M104GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-050047 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-064964 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192841 Applicant：大阪瓦斯株式会社

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