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J-GLOBAL ID:200903073732457170

微細パターン形成装置および半導体デバイス製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004081962
Publication number (International publication number):2005268675
Application date: Mar. 22, 2004
Publication date: Sep. 29, 2005
Summary:
【課題】 ウエハの周辺部分のショットにおいても均一な押し付け圧力を与え、高精度な転写パターンができるナノインプリント装置を提案する。【解決手段】 モールドとウエハの対向していない部分(ウエハ外周部)に同一高さの面一板を設けることでモールドパターン面の全面を加圧する、もしくはモールドへの加圧重心が実際にモールドとウエハが対向している領域の内部に位置するよう加圧制御することで均一な押し付けを達成する。後者の具体的な手段として、複数の加圧点を設け加圧力を独立に制御する、もしくは加圧重心の移動手段を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
微細凹凸パターンをその表面に有した原盤を保持する原盤保持機構と、原盤のパターンを転写する被加工基板を保持および移動する被加工基板ステージと、該原盤と該被加工基板を対向させ両者を相対的に押し付ける加圧機構を有し、加圧機構を作動させ該被加工基板表面にパターン転写をなう微細パターン形成装置において、該原盤と該被加工基板とが対向している領域のほぼ中心に加圧の重心がくるように押し付け制御する押し付け制御手段を有することを特徴とする微細パターン形成装置。
IPC (2):
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (2):
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 521
F-Term (1):
5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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