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J-GLOBAL ID:200903073997142309
レーザビーム出射装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
横沢 志郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996307796
Publication number (International publication number):1998149559
Application date: Nov. 19, 1996
Publication date: Jun. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】 波長の異なるレーザビームを出射でき、特にDVDと共にCD-Rの再生を適切に行うことのできるレーザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を、簡単な構成で、小型、コンパクトに実現すること。【解決手段】 レーザビーム出射装置1は、シリコン基板2の表面2aに、プリズム合成体からなる偏光ビームスプリッタ6が縦置きに載置され、その偏光分離面6aに対して水平方向の位置に、TMモードで発振する波長が635nm帯域のレーザビーム4aを出射する半導体レーザチップ4と、TEモードで発振する波長が780nm帯域のレーザビーム5aを出射する半導体レーザチップ5を配列してある。偏光分離面6aは、第1のレーザビーム4aを反射し、第2のレーザビーム5aを透過させる。偏光ビームスプリッタ6を縦置きにすることにより、DVDおよびCD-Rの再生に適した波長のレーザビームを出射可能なレーザビーム出射装置を簡単な構成で、小型、コンパクトに実現できる。
Claim (excerpt):
第1のレーザビームを出射する第1の半導体レーザチップと、前記第1のレーザビームとは偏光面が直交すると共に波長が異なる第2のレーザビームを出射する第2の半導体レーザチップと、前記第1および第2のレーザビームのうちの一方を透過させ他方を反射する偏光ビームスプリッタと、前記第1および第2の半導体レーザチップおよび前記偏光ビームスプリッタが取り付けられた半導体基板とを有し、前記偏光ビームスプリッタは、前記半導体基板の基板表面に対して偏光分離面が垂直な状態で取り付けられ、前記第1および第2の半導体レーザチップから出射された前記第1および第2のレーザビームの主光軸は、前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面に直交する同一平面上に位置し、当該偏光分離面上の一点で交差していることを特徴とするレーザビーム出射装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開昭61-026947
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半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-193259
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭56-087241
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光ピックアップ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-031143
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平4-240789
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半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-282424
Applicant:日本電気株式会社
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光磁気ピックアップ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-286188
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
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レーザダイオードアレイ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-293489
Applicant:ゼロックスコーポレイション
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