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J-GLOBAL ID：200903074031947978

発光素子とその製造方法

Inventor： 志水 隆一 ,  高井 義造 ,  木村 吉秀
Applicant, Patent owner： 関西ティー・エル・オー株式会社
Agent (1)： 西教 圭一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001123093
Publication number (International publication number)：2002319701
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 複数の集積回路素子2,40間で光通信を行うことができるようにするための発光素子5を、正確な位置で高精度の外径D1で、製造すること。【解決手段】 シリコン半導体基板である集積回路素子2上に、SiO2から成る被覆層3を形成し、高真空雰囲気中で、希望する位置の照射領域に、電子線4を照射する。電子線4がSiO2被覆層3に照射されることによって、SiO2の酸素が遊離し、Si原子が出現する。電子線4を照射し続けることによって、Si原子のみから成る発光層5が、シリコン半導体基板である集積回路素子2に到達し、こうしてSiO2の電気絶縁層6を挿通した発光層5が形成される。発光層5とその周辺部とにわたり、透光性電極7を形成し、発光層5の厚み方向両端部間に電圧を印加する。発光層5からの光は、導光部材29によって、もう1つの集積回路素子40の受光素子35に導かれ、光通信を行うことができる。発光層5の外径D1は、たとえば1〜20nmφである。

Claim (excerpt)：

(a)電子線が照射されることによって気化する原子と、Siとの化合物である電気絶縁層と、(b)電気絶縁層には、予め定める領域に電気絶縁層に含まれるSiのみから成る発光層を含み、発光層に、前記厚み方向両端部間で、電圧が印加されることを特徴とする発光素子。

F-Term (5)：

5F041AA36 ,  5F041CA33 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CB31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-178278   Applicant：株式会社東芝
• シリコン膜、シリコン配線、シリコン電極の形成方法及びMOSトランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-177117   Applicant：三洋電機株式会社
• チップ作製方法およびそのチップ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-246745   Applicant：日本電子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高温電子線励起SiO2還元により形成されたSiナノ結晶の構造
• Si酸化膜のナノスケール電子線励起選択的熱脱離
• 電子線照射により極薄SiO2マスクへ直接描画した領域へのSi低温選択成長
• 電子線照射により極薄SiO2マスクへ直接描画した領域へのSi低温選択成長