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J-GLOBAL ID：200903074120086242

半導体超微粒子の製造方法及び製造装置

Inventor： 齊田 壮一郎 ,  吉江 建一 ,  加和 学
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001154764
Publication number (International publication number)：2002052336
Application date： May. 24, 2001
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 粒径分布が狭く且つ吸発光特性の優れた半導体超微粒子を生産性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体原料を反応器中の液相媒質に注入し、該液相媒質中で半導体結晶を成長させる方法において、反応器が管状流通反応器であり、かつ半導体原料を注入した時点の液相媒質のレイノルズ数が30以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体原料を反応器中の液相媒質に注入し、該液相媒質中で半導体結晶を成長させる方法において、反応器が管状流通反応器であり、かつ半導体原料を注入した時点の液相媒質のレイノルズ数が30以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

IPC (3)：

B01J 19/00 ,  B01J 8/08 ,  B01J 8/10 301

FI (3)：

B01J 19/00 N ,  B01J 8/08 ,  B01J 8/10 301

F-Term (26)：

4G070AA03 ,  4G070AB10 ,  4G070BA02 ,  4G070BB11 ,  4G070CA06 ,  4G070CA07 ,  4G070CA21 ,  4G070CB05 ,  4G070CB30 ,  4G070CC02 ,  4G070CC03 ,  4G070CC06 ,  4G070DA30 ,  4G075AA27 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BB05 ,  4G075BB10 ,  4G075BD16 ,  4G075BD22 ,  4G075CA02 ,  4G075DA01 ,  4G075EA06 ,  4G075EB21 ,  4G075EC06 ,  4G075EC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 熱現像感光材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-293560   Applicant：コニカ株式会社
• 固体微粒子の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-037068   Applicant：コニカ株式会社
• 半導体超微粒子の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154765   Applicant：三菱化学株式会社
• 化合物半導体超微粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-357005   Applicant：三菱化学株式会社