半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305680
Publication number (International publication number)：1997148321
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】配線層3、9間に形成されたフッ素を含むシリコン酸化膜12とその上のSOG膜14とを含む層間絶縁膜16において、SOG膜14に剥離やクラックが発生する。【解決手段】フッ素を含むシリコン酸化膜12上に接してフッ素を含まないシリコン酸化膜13を形成しその上に接してSOG膜14を形成して、SOG膜14と下地との密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、配線層と、この配線層上に層間絶縁膜を介して形成された上層配線層とを有する半導体装置において、上記層間絶縁膜が、フッ素を含むシリコン酸化膜と、このフッ素を含むシリコン酸化膜上に接して形成されたフッ素を含まないシリコン酸化膜と、このフッ素を含まないシリコン酸化膜上に接して形成されたスピンオングラス膜とを有する積層構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 21/88 K , H01L 21/90 M , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-047207 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292107 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-088880 Applicant：株式会社東芝

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