水素化アニール後の非晶質シリコンの欠陥濃度の減少量を推定する方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211262
Publication number (International publication number)：1996078429
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】水素化アニール後の非晶質シリコン膜に対して、他の方法によってはそれが測定感度に満たない場合においても、容易に非晶質シリコンの欠陥濃度の減少量を推定する。【構成】水素化アニールで非晶質シリコンに進入した水素の拡散深さをTt1、水素化アニールによる欠陥濃度の減少量をDBt1、非晶質シリコンの膜厚をT0および水素化アニール前の初期欠陥濃度をDB0 としたとき、これらによって表わされる比DBt1/DB0 が比Tt1/T0 に対し正比例し、かつ比例定数が1の関係にあることに基づいて、DB0 、T0 およびTt1を測定することによって、被測定量であるDBt1を推定する。

Claim (excerpt)：

水素化アニールで非晶質シリコンに進入した水素の拡散深さをTt1、前記水素化アニールによる欠陥濃度の減少量をDBt1、前記非晶質シリコンの膜厚をT0 および前記水素化アニール前の初期欠陥濃度をDB0 としたとき、これらによって表わされる比DBt1/DB0 が比Tt1/T0 に対し正比例し、かつ比例定数が1の関係にあることに基づいて、DB0 、T0 およびTt1を測定することによって、被測定量であるDBt1を推定するようにしたことを特徴とする水素化アニール後の非晶質シリコンの欠陥濃度の減少量を推定する方法。

IPC (4)：

H01L 21/324 , H01L 21/26 , H01L 21/66 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L 21/26 C , H01L 29/78 624

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267331 Applicant：日本電装株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118989 Applicant：富士通株式会社
半導体装置作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-064839 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Return to Previous Page