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J-GLOBAL ID：200903074290880970

多層配線基板の製造方法

Inventor：
林 桂

About 林 桂


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997326779
Publication number (International publication number)：1999163525
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】コア基板表面にビルドアップ法により形成された多層配線層を具備する多層配線基板の表面平坦性を向上と、多層配線層の密着性を向上させる。【解決手段】軟質の絶縁基板2の表面に、フィルム表面に形成された金属箔からなる配線回路層3を圧着、転写して軟質の絶縁基板2表面に配線回路層3を埋め込んだ後、配線回路層3の表面をエッチング処理して、配線回路層3の表面粗さ(Ra)が100nm以上、絶縁基板2表面から0.1〜10μmくぼませたコア基板10を作製した後、このコア基板10の表面に、ビルドアップ法により有機樹脂を含有する絶縁層11と配線回路層13とを順次積層して多層配線層15を形成する。
Claim (excerpt)：
有機樹脂を含有する絶縁基板表面に配線回路層が被着形成されたコア基板の表面に、有機樹脂を含有する絶縁層と配線回路層とを順次積層して多層配線層を形成してなる多層配線基板の製造方法において、前記コア基板表面の配線回路層の表面粗さ(Ra)が100nm以上であり、且つ該配線回路層が前記絶縁基板表面から0.1〜10μmくぼんで形成されていることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (4)：
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 L ,  H01L 23/12 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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