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J-GLOBAL ID：200903074294564879

N型半導体膜の形成方法

Inventor： 芳之内 淳
Applicant, Patent owner： 石川島播磨重工業株式会社
Agent (1)： 島村 芳明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997269803
Publication number (International publication number)：1999111634
Application date： Oct. 02, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】N型半導体膜の熱処理温度を低下させて絶縁性基板の歪を防止する。【解決手段】絶縁性基板上に膜厚が50〜150nmの多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に膜厚が50〜150nmの絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を通して、前記多結晶シリコン膜に第V族元素イオンを含むイオンを注入する工程と、300〜500°Cの温度で熱処理する工程とからなるものである。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に膜厚が50〜150nmの多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に膜厚が50〜150nmの絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を通して、前記多結晶シリコン膜に第V族元素イオンを含むイオンを注入する工程と、300〜500°Cの温度で熱処理する工程とからなることを特徴とするN型半導体膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 618 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ドーピング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-128924   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-118989   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-217070   Applicant：セイコーエプソン株式会社