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J-GLOBAL ID：200903074353740031

半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置

Inventor：
エリック・ジェイ・バーグマン

About エリック・ジェイ・バーグマン


Applicant, Patent owner：
セミトゥール・インコーポレイテッド

About セミトゥール・インコーポレイテッド


Agent (2)： 青山 葆 ,  河宮 治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001512043
Publication number (International publication number)：2004500701
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
新規で化学的なシステム及びその応用技術は、半導体ウエハ及びこれに類似する基板の汚染物を低減する。液体薬剤の流れがワークピース20の表面に供給される。液体処理流れ60中、又は処理環境15中のいずれかにオゾンが供給される。オゾンは、好ましく大容量オゾン生成器75によって生成される。液体又は蒸気の形態の化学的な流れは、システム内のウエハ20に供給され、これによりワークピース表面に形成される境界層を制御することが可能となる。化学的な流れは、粒子及び有機物を同時に除去するための水酸化アンモニウム、溶液のpHを高めるためのその他の薬剤、又は1つもしくは複数の特定の洗浄処理を行うようになっているその他の化学添加物などの成分を含んでいてもよい。特別の応用技術は、ウエハ表面上の液体の境界層を制御するようになっている。
Claim (excerpt)：
ワークピースを処理する方法であって、 上記ワークピースの表面に加熱された液体を供給するステップであって、上記の加熱された液体が、上記ワークピースを高められた温度に維持するのを助けるようになっているステップと、 上記ワークピースを収容している環境中に、90グラム/時よりも大きい速度でオゾンを導入するステップと、 上記ワークピース上の加熱された液体の厚さを制御して、上記ワークピースの表面での反応のために、オゾンが拡散により通り抜けることができる液体境界層を形成するステップとを含んでいる方法。
IPC (2)：
H01L21/304 ,  B08B3/08
FI (3)：
H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 642F ,  B08B3/08 A
F-Term (5)：
3B201AA03 ,  3B201AB08 ,  3B201BB92 ,  3B201BB98 ,  3B201BC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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