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J-GLOBAL ID：200903074388029004

誘電定数測定法

Inventor：
中山 明

About 中山 明


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001330242
Publication number (International publication number)：2003130903
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：
【要約】【課題】高周波領域における高誘電率薄膜の比誘電率と誘電正接を高精度で測定することができる誘電定数測定法を提供する。【解決手段】開口部6a、6bを有する一対の有底筒状体1a、1b間に、かつ、それぞれの開口部6a、6bに面するように、誘電体薄膜3が形成された誘電体基板5を配置するとともに、誘電体基板5の薄膜3上及び/又は誘電体基板5の薄膜形成面と反対側の面に共振周波数制御用基板7、8を配置して円筒型空洞共振器1を構成し、該円筒型空洞共振器1のTEモードの共振周波数と無負荷Qから、誘電体薄膜3の比誘電率及び/又は誘電正接を求めることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
開口部を有する一対の有底筒状体間に、かつ、それぞれの開口部に面するように、薄膜が形成された誘電体基板を配置するとともに、前記誘電体基板の前記薄膜上及び/又は前記誘電体基板の薄膜形成面と反対側の面に共振周波数制御用基板を配置して筒型空洞共振器を構成し、該筒型空洞共振器のTEモードの共振周波数と無負荷Qから、前記薄膜の比誘電率及び/又は誘電正接を求めることを特徴とする誘電定数測定法。
FI (2)：
G01R 27/26 H ,  G01R 27/26 T
F-Term (11)：
2G028AA01 ,  2G028BB05 ,  2G028BC01 ,  2G028BD03 ,  2G028BE01 ,  2G028BF08 ,  2G028CG09 ,  2G028CG10 ,  2G028CG14 ,  2G028CG20 ,  2G028DH15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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