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J-GLOBAL ID：200903074403229210

プラズマ源、薄膜形成装置及び薄膜形成方法

Inventor： 清水 三郎 ,  園田 早紀
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (1)： 打揚 洋次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001256615
Publication number (International publication number)：2003068656
Application date： Aug. 27, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ中の生成イオンが基板上の成膜物質に照射されないように構成された高周波プラズマ源、このプラズマ源を備えた薄膜形成装置、及びこの装置を用いる薄膜形成方法の提供。【解決手段】 内部に導体が設置されたプラズマ容器からなり、この導体にマイナス電位を与えることによりプラズマ中に生成されたイオンがプラズマ容器内に閉じ込められるようにする。導体は、生成プラズマを真空室内へ噴出するための噴出口近傍に設置されており、また、金属からなるバイアス電極である。このプラズマ源を薄膜形成装置に適用する。この装置を用いて、イオン照射損傷のない成膜物質と反応ガスプラズマとの反応により薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

化合物薄膜形成装置に適用される、成膜物質と反応する反応ガスのプラズマを生成する高周波プラズマ源であって、内部に導体が設置されたプラズマ容器からなり、この導体にマイナス電位を与えることによりプラズマ中に生成されたイオンがプラズマ容器内に閉じ込められるように構成されていることを特徴とする化合物薄膜形成用高周波プラズマ源。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/32 ,  H05H 1/30

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/32 Z ,  H05H 1/30

F-Term (16)：

4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029CA04 ,  4K029DD02 ,  4K029DE02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045DP03 ,  5F045EH06 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EH20 ,  5F045EK02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-105997   Applicant：ソニー株式会社
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-190711   Applicant：日新電機株式会社
• プラズマ励起セル装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-102301   Applicant：新日本製鐵株式会社, 日本真空技術株式会社