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J-GLOBAL ID:200903074409572641

単結晶ダイヤモンド膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995219625
Publication number (International publication number):1997048693
Application date: Aug. 04, 1995
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 低いコストで大面積の単結晶ダイヤモンド膜を気相合成することができ、ダイヤモンドを使用した幅広い応用分野において、ダイヤモンドの特性の飛躍的向上と実用化とを可能にする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 単結晶ダイヤモンドの形成方法は、(111)又は(001)結晶面を有する基体上に、白金又は白金を50原子%以上含有する白金合金を300°C以上の基板温度で蒸着し、1000°C以上の温度でアニール処理を施したものを基板として、ダイヤモンド膜を気相合成する。
Claim (excerpt):
基体上に、白金又は白金を50原子%以上含有する白金合金の膜を蒸着し、その後、この白金又は白金合金の膜にアニール処理を施し、これを基板として、前記白金又は白金合金の膜上にダイヤモンド膜を気相合成することを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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