半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994026874
Publication number (International publication number)：1995235676
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】下地パターンの段差の影響を受けずに層を形成可能な半導体装置及びその製造方法を得る。【構成】溝13上に形成され、ドープドポリシリコン5を覆うキャップ部30(絶縁層)になめらかな傾斜面26を設け、X:傾斜面26の基体50の表面の面内方向の長さ、Y:傾斜面26の基体50の表面らの形成高さとしたとき、Y/X≦5を満足するようにする。【効果】 Y/X≦5を満足するなだらかな傾斜面を有する絶縁層を形成することにより、この絶縁層からなる下地パターンの影響を受けずに何等欠陥なく第1の主電極を形成することができる。

Claim (excerpt)：

一方主面と他方主面とを有する半導体からなる基体と、各々が前記基体の一方主面から所定の深さで選択的に形成される複数の溝部と、前記複数の溝部の内壁上にそれぞれ形成される複数の絶縁膜と、前記複数の絶縁膜を介して前記複数の溝部それぞれの内部にそれぞれ充填される複数の制御電極層と、前記複数の制御導電層上に、前記基体の表面より突出してそれぞれ形成される複数の絶縁層と、前記基体の一方主面上に形成される第1の主電極と、前記基体の他方主面上に形成される第2の主電極とを備え、前記複数の制御電極層に共通に与える制御電圧により、前記第1及び第2の主電極間を流れる電流を制御する半導体装置において、前記複数の絶縁層はそれぞれ上部から下部にかけてなだらかな傾斜面を有し、X:前記傾斜面の前記基体の一方主面の面内方向の長さY:前記傾斜面の前記基体の一方主面からの形成高さとしたとき、条件式:Y/X≦5を満足することを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 321 S , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 321 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-240273
特開平1-192175
特開昭63-296282

Show all

Return to Previous Page