Pat
J-GLOBAL ID：200903074446370170

インジウムスズ酸化膜の製造方法

Inventor：
菱田 光起

About 菱田 光起


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001199289
Publication number (International publication number)：2003016858
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 エッチングレートが高く、かつ低抵抗で高透過率のITO膜を実現すること。【解決手段】 インジウムスズ酸化物(ITO)膜を常温かつ水添加雰囲気で成膜し、成膜後、180°C程度以上、1時間程度以上の熱処理を施す。水添加雰囲気は、成膜室内の水総分圧8.2×10-3パスカル程度以下とすることで後工程でのアニールによる膜質改善効果を発揮でき、また、成膜室内の水総分圧3.20×10-3パスカル以上とすることで、アモルファスのITO膜を成膜することができ、成膜後エッチング処理を迅速に行うことを可能とする。成膜後(パターニング後)の熱処理は、180°C程度以上(例えば、220°C程度)の温度で、1時間程度以上(例えば1時間程度〜3時間程度)の条件とすることが適切であり、これにより、膜は多結晶化され、また低抵抗で高透過率のITO膜が得られる。
Claim (excerpt)：
インジウムスズ酸化膜を常温かつ水添加雰囲気で成膜し、成膜後、180°C程度以上、1時間程度以上の熱処理を施すことを特徴とするインジウムスズ酸化膜の製造方法。
IPC (4)：
H01B 13/00 503 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (4)：
H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/08 D ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z
F-Term (28)：
4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029GA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD41 ,  4M104DD61 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104GG04 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5G323AA03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06 ,  5G323BC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM