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J-GLOBAL ID：200903074448456284

半導体装置の製造方法

Inventor：
柴田 巧

About 柴田 巧

, 
榊原 純

About 榊原 純


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002164396
Publication number (International publication number)：2004014696
Application date： Jun. 05, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：
【課題】ゲート絶縁膜の形成において、均一な膜厚の熱酸化膜を形成する。【解決手段】基板1表面上に直接、熱酸化膜を形成するのではなく、基板1表面上に、CVD酸化膜3を形成する。そして、このCVD酸化膜3上に窒化膜4を堆積させる。その後、酸化雰囲気中にて、熱処理をすることで、窒化膜4上に熱酸化膜5を形成する。これにより、均一な膜厚の熱酸化膜5を有するゲート絶縁膜を形成することができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、基板表面に直接、CVD酸化膜を形成し、該CVD酸化膜上に窒化膜を堆積させ、該窒化膜の表層側を熱酸化することで、前記窒化膜上に熱酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L29/78 ,  H01L21/316
FI (3)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 301V
F-Term (21)：
5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD09 ,  5F058BF02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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