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J-GLOBAL ID：200903074474847313

ダイヤモンド冷陰極の気相合成方法

Inventor： 村上 裕彦 ,  山川 洋幸
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996279221
Publication number (International publication number)：1998125216
Application date： Oct. 22, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 金属チップを不要にし、さらに、不純物ドープによる半導体作製プロセスを用いることなしに、高い電導性と電子放出能を有する柱状ダイヤモンド冷陰極を得ること。【解決手段】 ダイヤモンド冷陰極の気相合成方法において、陰極基板表面においてダイヤモンドの気相合成と同時に炭素イオン又は炭素クラスターイオンのイオン注入を行い、柱状ダイヤモンド冷陰極を合成する。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド冷陰極の気相合成方法において、陰極基板表面においてダイヤモンドの気相合成と同時に炭素イオン又は炭素クラスターイオンのイオン注入を行い、柱状ダイヤモンド冷陰極を得ることを特徴とするダイヤモンド冷陰極の気相合成方法。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  C30B 29/04 ,  H01J 9/02

FI (3)：

H01J 1/30 A ,  C30B 29/04 S ,  H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電子放出素子および電子放出素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-208044   Applicant：出光マテリアル株式会社
• 特開平3-285897
  
• 特開平3-285897
  
• 特開平1-100093
  
• 特開平1-100093
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Prodution of β-SiC buffer layers for CVD diamond thin films by ion implantation