加工方法及び装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002029233
Publication number (International publication number)：2003234335
Application date： Feb. 06, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：

【要約】【課題】電力効率に優れた加工方法及び装置を提供すること。【解決手段】電極1上に載置された被処理物としての基板2の近傍に、マイクロプラズマ源3が配置される。周波数100MHzの高周波電力を、高周波信号源4から増幅器としてのパワートランジスタ5に供給し、増幅された高周波電力をマイクロプラズマ源3に印加してマイクロプラズマを発生させる。このマイクロプラズマから漏れ出る活性粒子を基板2に作用させ、基板2を加工することができる。

Claim (excerpt)：

被処理物の近傍に配置させたマイクロプラズマ源に高周波電力を印加することにより、マイクロプラズマを発生させ、マイクロプラズマから漏れ出る活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する加工方法であって、高周波信号をマイクロプラズマ源の近傍で増幅してマイクロプラズマ源に印加することを特徴とする加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2)：

H05H 1/46 B , H01L 21/302 101 E

F-Term (4)：

5F004BA03 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F004EA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

特開平4-128393
特開平4-162523
プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-193415 Applicant：松下電工株式会社

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Cited by examiner (10)

特開平4-128393
特開平4-162523
プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-193415 Applicant：松下電工株式会社

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