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J-GLOBAL ID：200903071683827045

半導体回路装置及びその製造方法

Inventor：
田中 愼一

About 田中 愼一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 西村 征生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999106994
Publication number (International publication number)：2000299386
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 トランジスタの高周波を劣化させることなく、変調特性に優れたバラクタを実現する。【解決手段】 エミッタ層51、エミッタ中間層52、エミッタ中間層53、エミッタ・コンタクト層54の順にn型不純物濃度が高くなる構成とする。トランジスタ部10aでは、p型ベース層4とエミッタ層51との間に形成されるpn接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。バラクタ部11aにおいては、高不純物濃度のエミッタ中間層53にはアノード電極104aが、一方、低不純物濃度のエミッタ層51の上にはカソード電極105aが形成され、超階段接合構造のダイオードを構成している。カソード電極105aの直下に合金化領域6aを形成することで、オーミック性の電極にする。
Claim (excerpt)：
少なくともトランジスタと可変容量ダイオードとを一の半導体基板上に形成した半導体回路装置であって、前記トランジスタは、不純物の濃度が略単調に変化している、第一の導電形式の半導体を有する第1の不純物濃度傾斜部を含んで構成されたものであり、前記可変容量ダイオードは、不純物の濃度がその場所によって異なる、第一の導電形式の半導体を有する第2の不純物濃度傾斜部と、前記第2の不純物濃度傾斜部に設けられ、前記第2の不純物濃度傾斜部と共にショットキー接合型のダイオードを構成したアノード端子と、前記第2の不純物濃度傾斜部における、前記不純物の濃度が前記アノード端子が設けられている部分よりも低く、且つ、前記アノード端子が設けられている部分との間における電気的な経路に沿って前記不純物の濃度が略単調に減少している部分に設けられたカソード端子とを備えて構成されたものであることを特徴とする半導体回路装置。
IPC (8)：
H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/93
FI (5)：
H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/93 ,  H01L 27/04 A ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72
F-Term (31)：
5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH08 ,  5F003BJ18 ,  5F003BJ93 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM02 ,  5F003BP32 ,  5F038AC05 ,  5F038AC20 ,  5F038AZ01 ,  5F038AZ10 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA11 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC12 ,  5F082BC13 ,  5F082BC18 ,  5F082BC20 ,  5F082CA02 ,  5F082DA09 ,  5F082EA08 ,  5F082EA14 ,  5F082EA23 ,  5F082FA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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