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J-GLOBAL ID：200903074536018777

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
松村 拓明

About 松村 拓明


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000023297
Publication number (International publication number)：2001210914
Application date： Jan. 27, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 素子の絶縁性を良好にして、リーク電流の防止やショートを防止し寿命特性の良好な素子を歩留まりよく得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 基板上に、n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を成長させてなる素子構造を有し、p型窒化物半導体層側からエッチングによりリッジ形状のストライプが形成されてなり、さらに少なくとも前記リッジ形状のストライプの側面に絶縁膜15が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子で、前記絶縁膜15と接している少なくともリッジ形状のストライプの側面及びストライプの側面から連続している平面の表面付近に、アルミニウム又はホウ素を豊富に含有するリッチ層201を有する。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を成長させてなる素子構造を有し、p型窒化物半導体層側からエッチングによりリッジ形状のストライプが形成されてなり、さらに少なくとも前記リッジ形状のストライプの側面に絶縁膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁膜と接している少なくともリッジ形状のストライプの側面及びストライプの側面から連続している平面の表面付近に、アルミニウム又はホウ素を豊富に含有するリッチ層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (3)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (43)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045HA12 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA13 ,  5F073DA14 ,  5F073DA16 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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