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J-GLOBAL ID：200903074536177239

3族窒化物基板の製造方法、および3族窒化物基板

Inventor： 石橋 恵二 ,  入倉 正登 ,  中畑 成二
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006337678
Publication number (International publication number)：2008042157
Application date： Dec. 15, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】 3族窒化物基板結晶を片面研削、研磨するときに研磨プレートへの貼付けによってその品質が異なることが分かった。研磨後の3族窒化物基板の面粗度を小さくし面だれを少なくして良品の比率を上げる方法を与える。 【解決手段】 3族窒化物基板を研磨プレートにOFが回転方向に関し前方f、後方b或いは内方uを向くように10μm以下の厚みのワックスによって貼付け研削、ラッピング、ポリシングし基板の面だれが水平方向に200μm以下、垂直方向に100μm以下になるようにする。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

40mm以上の直径を持ち、2mm〜30mmの長さのOFを持つ複数の3族窒化物基板を研磨プレートにOFが回転方向に関し前方f、後方b或いは内方uを向くように10μm以下の厚みのワックスによって貼付けて研磨し、基板の面だれが水平方向に200μm以下、垂直方向に100μm以下になるようにすることを特徴とする3族窒化物基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  C04B 41/91

FI (4)：

H01L21/304 621B ,  H01L21/304 622W ,  B24B37/04 J ,  C04B41/91 Z

F-Term (8)：

3C058AA04 ,  3C058AB03 ,  3C058AB08 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体ウェハの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-328448   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体ウエハおよびその研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-015942   Applicant：同和鉱業株式会社