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J-GLOBAL ID：200903074540190398

多結晶薄膜の形成方法及び薄膜半導体素子

Inventor： 前川 茂樹 ,  古田 守 ,  筒 博司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994325177
Publication number (International publication number)：1996181069
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザービームによるアニールを用いて、基板上の多結晶薄膜の結晶均一性を向上し、基板面内に分布するデバイスの性能ばらつきを抑制する方法を提供する。【構成】 第1ステップのアニールで、基板5上の非晶質Si薄膜2に対し、エキシマレーザービーム1によるアニールを行い、平均結晶粒径が約20nm以下の微結晶Si薄膜3を形成し、次に第2ステップのアニールで、微結晶Si薄膜3に対し、エキシマレーザービーム1によるアニールを行い、多結晶Si薄膜4を形成する。この多結晶Si薄膜4を用いて薄膜トランジスタを作製する。

Claim (excerpt)：

基板上に平均結晶粒径が20nm以下の微結晶を含む薄膜を形成する工程と、前記微結晶を含む薄膜をレーザービームでアニールすることにより平均結晶粒径が20nm以上の多結晶薄膜を形成する工程を少なくとも有することを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  C30B 30/00 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-248642   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• レーザー処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-307797   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-040523   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所