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J-GLOBAL ID：200903074557688411

補助電極の形成方法

Inventor：
高村 誠

About 高村 誠


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (2)： 今下 勝博 ,  岡田 賢治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340689
Publication number (International publication number)：2004178839
Application date： Nov. 25, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：
【課題】本発明は、透明電極の上面に形成された補助電極の形成方法に関する。透明電極の平滑性が重要な有機ELディスプレイ素子において、有機EL層に欠陥を生じさせないよう、透明電極の平滑性を損なわないエッチングによって補助電極を形成することを目的とする。【解決手段】本発明は、透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法である。本発明により、有機ELディスプレイ素子等の製造工程を簡易にすることができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料をチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法。
IPC (4)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28
FI (4)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/28
F-Term (7)：
3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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