液晶表示装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000144586
Publication number (International publication number)：2001324725
Application date： May. 12, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】生産性や歩留まりを向上させ、さらに開口率が高く明るいTFT液晶表示装置を提供する。【解決手段】逆スタガ構造でチャネルエッチ型のTFTの半導体膜、ドレイン配線の金属膜を1回のホト工程で厚さの異なる2つのホトレジストに加工することにより、TFT基板を総計4回のホト工程で形成、保持容量の上部電極を保護絶縁膜上から延在した透明導電膜、下部電極をゲート配線、誘電体をゲート絶縁膜、あるいはゲート絶縁膜とi型半導体で構成する。【効果】工程を20%削減して、さらに明るい表示装置が得られる。

Claim (excerpt)：

夫々の主面が互いに対向するように配置された第1並びに第2の絶縁性基板、該第1の絶縁性基板と該第2の絶縁性基板との間に挟まれた液晶層、該第1の絶縁基板上に形成され且つ走査信号を伝達するゲート配線並びに映像信号を伝達するドレイン配線、該ゲート配線上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体チャネル層、該半導体チャネル層上に形成され且つ半導体コンタクト層を介して該ドレイン配線の1部を構成するドレイン電極、該半導体チャネル層上にて該ドレイン電極と相対するソース電極、及び該ドレイン配線並びに該ソース電極又は該ドレイン電極を蓋う保護膜を有する薄膜トランジスタ部と、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極に接続された画素電極とを有する画素部を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ドレイン配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極が、前記第1の絶縁基板上の前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ドレイン配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極の金属膜の平面パターンより前記半導体コンタクト層パターンが幅広であり、前記半導体コンタクト層パターンより前記半導体チャネル層が幅広いパターンを有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/3065 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 21/302 M , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 627 B

F-Term (128)：

2H092GA14 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA22 , 2H092MA27 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA07 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 2H092QA18 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA13 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094ED02 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F004AA05 , 5F004AA12 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB30 , 5F004EA03 , 5F004EA10 , 5F004EA33 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK39 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN41 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ03 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-190950 Applicant：エルジー電子株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-282560 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
アクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-251962 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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