電界放出素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西村教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999073985
Publication number (International publication number)：2000268707
Application date： Mar. 18, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【目的】歩留りよく大量生産することができる電界放出素子を提供する。【構成】外囲器2のアノード基板4の内面には、アノード導体5と蛍光体層6からなるアノード7が設けられる。カソード基板3の内面には電界放出素子8が形成されている。電界放出素子8は、導電電極9と凹凸層10とエミッション層11とゲート電極12を有する。凹凸層10は、導電粒子、抵抗粒子、絶縁粒子等からなる。エミッション層11はカーボンナノチューブ等からなる。エミッション層11に覆われた凹凸層10のエッジ部分にゲート電極12による電界が集中し、エミッション層11から電界電子が放出される。電子はゲート電極12を通過してアノード7の蛍光体層6に射突し、これを発光させる。

Claim (excerpt)：

カソード基板と、前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、前記導電電極の表面に設けられた凹凸層と、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。

IPC (2)：

H01J 1/304 , H01J 9/02

FI (2)：

H01J 1/30 F , H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電子発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-019998 Applicant：株式会社リコー
特表平5-500585
改善されたダイヤモンド薄膜エミッタを用いた電界放射デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-282316 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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