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J-GLOBAL ID：200903074816879352

半導体結晶の製造方法

Inventor：
鎌田 敦之

About 鎌田 敦之


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993229168
Publication number (International publication number)：1995086180
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 気相成長(エピタキシャル成長)法で、添加したV族元素を容易にアクセプターとして活性化させ、低抵抗p型のカルコゲナイト化合物半導体結晶膜の形成が可能な半導体結晶の製造方法の提供を目的とする。【構成】 有機金属化合物およびV族元素を含む有機化合物を素材とし、結晶成長法でV族元素を不純物として含有する亜鉛,カドミウムの少なくとも1種を含むカルコゲナイト化合物半導体結晶膜を形成する工程を具備する半導体結晶の製造方法において、前記V族元素を含む有機化合物として、V族元素に直接結合した水素を有さず、かつV族元素に直接結合している基の結合解離エネルギーが、前記カルコゲナイド化合物半導体の母体を成すカロコゲナイド原料の結合解離エネルギー以下の有機化合物を用いることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
有機金属化合物およびV族元素を含む有機化合物を原料とした結晶成長法で、前記V族元素を不純物として含有する亜鉛,カトミウムの少なくともいずれか1種を含むカルコゲナイド化合物半導体結晶膜を形成する工程を具備する半導体結晶の製造方法において、前記V族元素を含む有機化合物として、V族元素に直接結合した水素を有さず、かつV族元素に直接結合している基の結合解離エネルギーが、前記カルコゲナイド化合物半導体の母体を成すカルコゲナイド原料の結合解離エネルギー以下の有機化合物を用いることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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