半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998143608
Publication number (International publication number)：1999340560
Application date： May. 26, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザ素子の薄膜成長において、原料供給量の変動や反応管内部の状態変化に伴い層厚変動が生じることが問題となっているが、これらを把握し、パラメーター設定条件を確立又は見直すために現状では定期的に複数回のチェック用成長が製造の合間に実施されている。しかしながら、チェック用成長は素子の製造プロセスとは全く異なっており、作業が煩雑になるばかりでなく、製造コストにも影響が大きいものとなっていた。【解決手段】活性層と同一組成のモニタ層を素子特性に影響しない条件でレーザ素子構造に作り込むことによって、毎回の成長で該モニタ層の成長速度を測定し、しかも同一成長内の活性層にフィードバックし、高精度な層厚制御を可能とするため、ロット間の層厚バラツキがなく、素子歩留まりが向上する。また、従来のようなチェック用の確認成長が不要となるため、大幅なコスト低減を実現できる。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、第1導電型下クラッド層、活性層、及び第2導電型上クラッド層とを形成してなる半導体レーザ素子において、前記第1導電型下クラッド層と基板との間に、前記活性層と同一組成の成長速度モニタ層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-304350 Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
光学的膜厚測定方法、膜形成方法および半導体レーザ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-202872 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平4-247637

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