光学的膜厚測定方法、膜形成方法および半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995202872
Publication number (International publication number)：1997033223
Application date： Jul. 17, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】成膜工程と同時に光学的膜厚を正確に測定することができ、例えば反射ミラーを含む半導体レーザ装置の半導体層の成膜工程に適用することができる光学的膜厚測定方法、膜形成方法、およびこれらの方法を適用した半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】光学的膜厚測定方法および膜形成方法は、基板上に複数の膜を積層する際に、基板に向けてモニタ光を照射し、その反射強度の極値から膜の厚さを測定する光学的膜厚測定方法において、積層される複数の膜は、所定の波長帯域において98%以上の反射率を有する第1の膜と、この第1の膜上に形成され、かつ前記所定の波長帯域において1000cm-1以下の吸収係数を有する第2の膜とを含む。そして、前記第1の膜は、所定波長を有する第1のモニタ光によって測定され、前記第2の膜は前記所定の波長帯域と異なる波長を有する第2のモニタ光によって測定される。

Claim (excerpt)：

基板上に複数の膜を積層する際に、基板に向けてモニタ光を照射し、その反射強度の極値から光学的膜厚を測定する光学的膜厚測定方法において、積層される複数の膜は、所定の波長帯域において98%以上の反射率を有する第1の膜と、この第1の膜上に形成され、かつ前記所定の波長帯域において1000cm-1以下の吸収係数を有する第2の膜とを含み、前記第1の膜は、所定波長を有する第1のモニタ光によって測定され、前記第2の膜は、前記所定の波長帯域と異なる波長を有する第2のモニタ光によって測定されることを特徴とする光学的膜厚測定方法。

IPC (7)：

G01B 11/06 , C23C 14/24 , C30B 25/16 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/66 , H01S 3/18

FI (7)：

G01B 11/06 Z , C23C 14/24 U , C30B 25/16 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/66 P , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-307003
特開平4-247637
面発光型半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-052643 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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