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J-GLOBAL ID：200903074918330223

半導体レーザ素子

Inventor： 木村 裕治 ,  渥美 欣也 ,  安部 克則 ,  松下 規由起
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994176901
Publication number (International publication number)：1996046285
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ストライプ幅が100μm以上の大出力型の半導体レーザ素子において、端面コートのない状態より高光出力を得る。【構成】 活性層4における発光領域のストライプ幅が100μm以上で、光の出射方向に対する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられてたものであって、前端面の反射率を5%〜25%、後端面の反射率を90〜100%とした。

Claim (excerpt)：

発光領域のストライプ幅が100μm以上で、光の出射方向に対する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられている半導体レーザ素子であって、前記前端面の反射率を5%以上にしたことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181398   Applicant：日本電気株式会社
• フレア構造半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-153195   Applicant：日本電気株式会社