薄膜トランジスタの製造方法及びアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996197658
Publication number (International publication number)：1998041515
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマCVDや常圧CVDにて量産されたゲート絶縁膜の改質時に生じるガラス基板の縮み、反り、割れ等を防止し、TFT製造時の歩留まり向上を図ると共に、TFTの特性、液晶表示装置の表示品位向上を図る。【解決手段】ガラス基板20上にてパターニングされたポリシリコン膜40上にゲート絶縁膜24を形成した後、2.45GHzのマイクロ波23を照射して、ゲート絶縁膜24中の水分を誘電発熱により脱離し、ゲート絶縁膜24を改質する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にゲート絶縁膜を介し半導体層及びゲート配線層を有し更に層間絶縁膜を介し信号配線層を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜に3MHz以上30GHz以下の電磁波を照射する工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 29/78 617 V , H01L 21/316 P , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ゲート絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187371 Applicant：ソニー株式会社
薄膜作製方法および薄膜作製装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138348 Applicant：松下電器産業株式会社

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