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J-GLOBAL ID：200903075079126140

強磁性半導体素子、強磁性半導体のスピン分極方法

Inventor： 大野 英男 ,  松倉 文▲礼▼ ,  篁 耕司
Applicant, Patent owner： 東北大学長
Agent (1)： 杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002211173
Publication number (International publication number)：2004055822
Application date： Jul. 19, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】強磁性転移温度を十分に向上させ、次世代のデバイスとして使用することのできる強磁性半導体素子、及びこのような強磁性半導体素子を提供するための強磁性半導体のスピン分極方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、強磁性半導体層2及び室温強磁性体層3を順次に積層して強磁性半導体素子10を作製する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

所定の半導体基板上において、強磁性半導体層と、室温強磁性体層とを順次に積層してなることを特徴とする、強磁性半導体素子。

IPC (4)：

H01L29/82 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01L43/00

FI (4)：

H01L29/82 Z ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01L43/00

F-Term (5)：

5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA11 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-120249   Applicant：三洋電機株式会社
• 強磁性スピントンネル効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-023256   Applicant：株式会社豊田中央研究所