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J-GLOBAL ID:200903075091831479

無電解金めっき方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999028231
Publication number (International publication number):2000226672
Application date: Feb. 05, 1999
Publication date: Aug. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法に関するもので、はんだ付けした際の無電解ニッケルめっき下地とはんだとの密着力を向上させ、はんだ付け工程における歩留まりを改善し、十分な接続信頼性を確保することを目的とするものである。【解決手段】 素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法において、素材上に形成する無電解ニッケルめっき膜表面の十点平均粗さを0.5μmから1.5μmとする。
Claim (excerpt):
素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法において、素材上に形成する無電解ニッケルめっき膜表面の十点平均粗さを0.5μmから1.5μmとすることを特徴とする無電解金めっき方法。
IPC (3):
C23C 18/42 ,  C23C 18/32 ,  H05K 3/34 501
FI (3):
C23C 18/42 ,  C23C 18/32 ,  H05K 3/34 501 F
F-Term (11):
4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA36 ,  4K022CA02 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB08 ,  5E319AC01 ,  5E319AC17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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